通过以错位方式设置印刷电极（内电极）的陶瓷介电膜，通过一次高温烧结形成陶瓷芯片，并密封两端的金属层（外电极）来形成芯片电容器。芯片。
因此，形成单块状结构，它也被称为单片电容器。因此，片式电容器是多层结构，主要包括三个部分：陶瓷介质，金属内电极和金属外电极，它们是简单的多个简单平行板电容器的并联体。
有两种方法可以表示芯片电容器的封装，一种是英制表示，另一种是公制表示。美国制造商使用英语，日本制造商基本上使用公制，而国内制造商也在公制系统中使用（公司只能使用一个系统）。
英制包的数量大致乘以2.5（前2位，后2位分别相乘），以成为度量包规范。现在流行的是英语包表示。
芯片电容器的材料有很多种。常用的是C0G（也称为NP0）材料，X7R材料和Y5V材料。
C0G具有最佳的工作温度范围和温度系数，在-55°C至+ 125°C的工作温度范围内温度系数为0±30ppm /°C。X7R之后的容量变化为±15 [在-55°C至+ 125°C的工作温度范围内，Y5V的工作温度仅为-30°C至+ 85°C，其容量可在-22 [％]至+82 [％]之间变化这个工作温度范围。
当然，C0G，X7R和Y5V的成本也在逐渐下降。选择芯片电容时首先要注意的是温度特性。
不同材料的介电性能在温度特性上有很大差异。 C0G是一种电介质，具有最稳定的电气性能，基本上不随温度，电压和时间的变化而变化。
它适用于具有高稳定性要求的高频电路。 X7R是一种具有稳定电气性能的II类电介质。
当温度，电压和时间变化时，性能变化不显着。它适用于不需要高容量稳定性的隔离，耦合，旁路和频率鉴别电路。
由于X7R是一种强电介质，因此它可以生产出比C0G介质更大容量的电容器。 Y5V是具有高介电常数的II类电介质。
它通常用于生产具有大比电容和高额定容量的大容量电容器产品，但其容量稳定性比X7R差。容量和损耗与温度和电压有关。
测试条件更敏感。在选择中，如果工作温度和温度系数要求非常低，您可以考虑使用Y5V，但一般情况下，您应该使用X7R。
如果您需要更高，则必须选择C0G。随着世界电子信息产业的快速发展，芯片电容器的发展呈现出多元化的趋势。
（1）为了满足便携式通信工具的需求，芯片电容器也在朝着低压，大容量，超小型和超薄的方向发展。 （2）为了适应高功率，高耐压（多为军用通信设备）方向的某些电子整机和电子设备的发展，具有高耐压，大电流，大功率的中高压贴片超高Q值和低ESR型电容器也是目前重要的发展方向。
（3）为了满足高集成电路的要求，多功能复合芯片电容器（LTCC）正成为一个热门的研究课题。目前，世界对芯片电容器的需求超过2000亿，并且以每年10 [％] -15 [％]的速度增长。
其中，70％[％]的贴片电容器在日本生产，其次是欧洲，美洲和东南亚（包括中国）。今天，随着世界电子工业的快速发展，芯片电容器肯定会以惊人的速度向前发展。
因此，形成单块状结构，它也被称为单片电容器。因此，片式电容器是多层结构，主要包括三个部分：陶瓷介质，金属内电极和金属外电极，它们是简单的多个简单平行板电容器的并联体。
有两种方法可以表示芯片电容器的封装，一种是英制表示，另一种是公制表示。美国制造商使用英语，日本制造商基本上使用公制，而国内制造商也在公制系统中使用（公司只能使用一个系统）。
英制包的数量大致乘以2.5（前2位，后2位分别相乘），以成为度量包规范。现在流行的是英语包表示。
芯片电容器的材料有很多种。常用的是C0G（也称为NP0）材料，X7R材料和Y5V材料。
C0G具有最佳的工作温度范围和温度系数，在-55°C至+ 125°C的工作温度范围内温度系数为0±30ppm /°C。X7R之后的容量变化为±15 [在-55°C至+ 125°C的工作温度范围内，Y5V的工作温度仅为-30°C至+ 85°C，其容量可在-22 [％]至+82 [％]之间变化这个工作温度范围。
当然，C0G，X7R和Y5V的成本也在逐渐下降。选择芯片电容时首先要注意的是温度特性。
不同材料的介电性能在温度特性上有很大差异。 C0G是一种电介质，具有最稳定的电气性能，基本上不随温度，电压和时间的变化而变化。
它适用于具有高稳定性要求的高频电路。 X7R是一种具有稳定电气性能的II类电介质。
当温度，电压和时间变化时，性能变化不显着。它适用于不需要高容量稳定性的隔离，耦合，旁路和频率鉴别电路。
由于X7R是一种强电介质，因此它可以生产出比C0G介质更大容量的电容器。 Y5V是具有高介电常数的II类电介质。
它通常用于生产具有大比电容和高额定容量的大容量电容器产品，但其容量稳定性比X7R差。容量和损耗与温度和电压有关。
测试条件更敏感。在选择中，如果工作温度和温度系数要求非常低，您可以考虑使用Y5V，但一般情况下，您应该使用X7R。
如果您需要更高，则必须选择C0G。随着世界电子信息产业的快速发展，芯片电容器的发展呈现出多元化的趋势。
（1）为了满足便携式通信工具的需求，芯片电容器也在朝着低压，大容量，超小型和超薄的方向发展。 （2）为了适应高功率，高耐压（多为军用通信设备）方向的某些电子整机和电子设备的发展，具有高耐压，大电流，大功率的中高压贴片超高Q值和低ESR型电容器也是目前重要的发展方向。
（3）为了满足高集成电路的要求，多功能复合芯片电容器（LTCC）正成为一个热门的研究课题。目前，世界对芯片电容器的需求超过2000亿，并且以每年10 [％] -15 [％]的速度增长。
其中，70％[％]的贴片电容器在日本生产，其次是欧洲，美洲和东南亚（包括中国）。今天，随着世界电子工业的快速发展，芯片电容器肯定会以惊人的速度向前发展。