Vishay推出新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案

宾夕法尼亚,MALVERN& mdash; 2016年2月17日-日前,Vishay Intertechnology,Inc.(纽约证券交易所股票代码:VSH)宣布其针对功率密度的性能要求,推出了5款新的VRPower®。推出了集成的DrMOS功率级解决方案-SiC530,SiC531,SiC532,SiC631和SiC632,可用于多相POL稳压器。
Vishay Siliconix的这五种器件采用耐热增强型4.5mm x 3.5mm PowerPAK®。 MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装结合了功率MOSFET,先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管,与采用分立元件的解决方案相比,占板面积缩小了45%。
该设备的高功率密度使其非常适合使用英特尔®Skylake平台的计算平台。该器件还适用于工业PC和网络和工业应用中使用的大电流多相模块。
如今的移动计算和桌面计算平台比上一代产品需要更多的电流,并且比以前需要更小的面积和尺寸。今天推出的采用4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封装的集成器件可以输出高达30A的连续电流,而采用5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装的器件可以输出40A的连续电流。
除了输出大电流和节省空间外,这些功率级还减少了封装的寄生参数,使开关频率达到2MHz,从而减小了输出滤波器的尺寸,并进一步减小了整个解决方案的尺寸和高度。为了提高性能,该器件的高端和低端MOSFET使用了Vishay当前最好的Gen IV TrenchFET®。
减少开关和传导损耗的技术。功率级的驱动器IC与许多PWM控制器兼容,并支持5V三态PWM逻辑电平。
SiC530,SiC531,SiC532,SiC631和SiC632适用于同步降压转换器,DC / DC稳压器模块,用于CPU和GPU的多相VRD以及存储器。为了提高这些应用中的轻载效率,该设备的驱动器IC具有二极管调制模式电路和零电流检测电路。
自适应空载时间控制有助于进一步提高所有负载点的效率。为了支持IMVP8的PS4模式轻载要求,当系统在待机模式下运行时,功率电平会将电流减小到5μA,并且可以在5μm内从此状态唤醒。
; s。该器件符合RoHS要求,不含卤素,并具有保护功能,例如欠压锁定(UVLO)。
器件规格表:功率级现在可以提供样品,并实现了批量生产,交货时间为十周。关于VISHAY Vishay Intertechnology,Inc.是一家“财富1000强”公司,在纽约证券交易所(VSH)上市。
它是一种全球分立的半导体(二极管,MOSFET和红外光电器件)和无源电子组件(电阻器,电感器)。它是最大的电容器和电容器制造商之一。
这些组件可用于工业,计算机,汽车,消费,通信,国防,航空航天,电源和医疗市场中的几乎所有类型的电子设备和设备。借助产品创新,成功的收购策略和“一站式”解决方案,服务方面,Vishay已成为全球行业的领导者。