用于“更高”质量的ALD填充技术存储设备

（来自Fanlin Group的EE Times采访）对于3D NAND，DRAM和逻辑芯片制造商来说，在高纵横比的复杂架构下填补空白一直是一个主要问题。在这方面，攀林集团电介质原子层沉积（ALD）产品副总裁兼总经理Aaron Fellis介绍了Striker＆reg; reg;的制造方法。
FE增强的ALD平台将以其高性能推动技术路线图的发展。沉积技术是推动存储设备进步的关键要素。
但是随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性开始变得突出。前锋潘林集团去年推出的FE增强原子层沉积（ALD）平台可以解决3D NAND和DRAM领域的半导体制造问题。
该平台使用称为“ ICEFill”的高级电介质填充技术，该技术可用于高级节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑设备。攀林集团Dielectric ALD产品副总裁兼总经理Aaron Fellis指出，对填充相关技术的需求一直存在，但原有的方法已不能满足新的需求，尤其是3D NAND堆栈越来越高，并且更高。
他说：“除了非常多的堆叠层之外，为了能够集成不同的步骤，还必须进行蚀刻以满足不同的特征要求。最后，我们需要重新填充介电材料，其中最常见的是氧化硅。
” Fellis指出，半导体制造行业中使用的传统填充方法（例如化学气相沉积，扩散/熔炉和旋涂工艺）始终必须权衡质量，收缩率和填充率，因此它们不再能够满足3D要求。 NAND。
“这些技术趋于缩小并导致构造和设计的实际结构变形。”由于其稳定性，对各种温度的抵抗力和良好的电性能，氧化硅仍然是填缝的首选材料，但是其沉积技术已经发生了变化。
以范林集团的前锋ICEFill为例。该解决方案使用了Fanlin独特的表面改性技术，以实现高度选择性的自下而上的无缝填充，同时保持了原子层沉积（ALD）的固有成本。
电影质量。费利斯说：“标准的ALD技术可以大大提高沉积后成膜的质量，从而解决了收缩问题。
”前锋使用ICEFill先进的介电填料技术的原子层沉积平台的FE增强版可用于3D NAND和DRAM体系结构。根据Felis的说法，即使使用高密度材料可以实现良好的内部机械完整性，标准ALD仍可能会在某些设备中造成间隙，并且其延展性可能会出现问题。
自下而上填充的ICEFill可以实现非常高质量的内部成膜而不会收缩。 “其延展性非常高。
”他说，这意味着它可以满足任何步骤的填充要求，包括提高机械强度和电气性能。 “在制造的装置内部的特定间隙中，填充材料具有均匀的特性。
”存储设备中使用的沉积技术具有其自己的路线图，并且各种促进其发展的存储技术进步也决定了其“保质期”。现有技术。
费利斯说：“技术将发展得越来越小”。预计3D NAND堆栈的增加将带来挑战，Fanlin Group已经开始改进其Striker产品。
他说：“随着客户根据自己的路线图发展，我们看到他们需要改善成膜性能。堆叠仍然是创新的动力。
美国半导体行业研究公司VLSI Research总裁Risto Puhakka表示，作为ALD技术的领导者Panlin Group的技术要求反映了存储行业的总体需求，即满足人工智能等高存储需求通过增加存储密度实现应用，但同时避免了成本增加。随着诸如3D NAND之类的存储设备的堆叠高度不断增加，对填充技术提出了更高的要求。
Puhakka说：“与堆栈相关的制造问题正在增加，芯片制造商也将担心成本过高。”在这种情况下，继续使用非常熟悉的材料（例如氧化硅）将有助于更好地预测成本。