STM32F1和GD32F1有什么区别

安排受流行病等诸多因素影响，全球主要MCU制造商的芯片价格一直在上涨，尤其是某些STM32型号的价格翻了一番。

然后，许多公司开始寻找其他制造商。

取代STM32的MCU。

在中国，最有效替代STM32的是GD32。

如果您想要最有效的替换，则需要了解它们之间的区别。

下面简要介绍STM32F1和GD32F1系列芯片之间的一些区别。

GD32简介在描述差异之前，让我们简要介绍GD32和该公司的相关内容。

GD32属于北京兆益创新技术有限公司（简称兆益创新）开发的（系列）MCU。

昭仪创新成立于2005年，并于2013年正式发布了首个具有Cortex-M内核的MUC（GD32F1）。

据说开发人员来自ST公司，GD32也以STM32为模板制作。

因此GD32和STM32在许多地方都相同，并且某些型号的MCU可以无缝替换。

但是，GD32毕竟是另一种产品。

不可能对所有事物都使用STM32。

一些自我发展的事物是不同的。

我们不要谈论相同的地方。

让我告诉您STM32F1和GD32F1系列芯片之间的区别。

内核差异GD32使用第二代M3内核，而STM32主要使用第一代M3内核。

下图是ARM的M3核心勘误表。

GD使用的核心仅为752419（BUG）。

主频差使用HSE（高速外部时钟）：GD32的主频最高为108M，STM32的主频最高为72M。

使用HSI（高速内部时钟）：GD32的主频率高达108M，而STM32的主频率高达64M。

主频率意味着MCU代码将运行得更快。

如果需要刷新屏幕，各种规定的计算以及电机对于控制和其他操作，GD32是一个不错的选择。

电源差异外部电源：GD32外部电源范围为2.6〜3.6V，STM32外部电源范围为2〜3.6V，GD电源范围比STM32相对窄。

核心电压：GD32核心电压为1.2V，STM32核心电压为1.8V。

GD的核心电压低于STM32，因此GD芯片在运行时以较低的功耗运行。

电源差异GD32的Flash是独立研发的，与STM32的Flash不同。

GD Flash的执行速度：GD32 Flash中的程序执行为0个等待周期。

STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问Flash等待时间的关系：等待时间为0，当0擦除时间：GD擦除时间较长时，官方数据是：GD32F103 / 101系列Flash 128KB适用于以下型号，页面擦除通常为100毫秒，实际测量约为60毫秒。

对应ST产品的Page Erase的典型值为20〜40ms。

从下表可以看出功耗的差异，在相同的主频率下，GD的工作功耗低于STM32，但是在相同的设置下，GD的关机模式，待机模式和睡眠模式分别为仍高于STM32。

连续发送数据时，串行端口差值GD在每两个字节之间会有一个位空闲，但STM32没有，如下图所示：ADC差值GD输入阻抗和采样时间设置与ST不同，相同的配置GD输入阻抗比较小。

下表显示了具体情况。

这是在主频率为72M时输入阻抗与ADC采样时钟的采样周期之间的关系。

FSMC和STM32之间的区别在于，只有STM32的大容量（256K及以上）具有FSMC和GD32。

所有100Pin或100Pin以上的都具有FSMC。

RAM和FLASH大小GD103系列与ST103系列内存和闪存之间的FSMC差异如下：105和107系列差异GD的105/107比ST的有更多选择，有关详细信息，请参见下表：有很多差异，有些工程师可能我在实际应用过程中发现了它，欢迎留言补充。

由于篇幅所限，本文将不做过多介绍。

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