电机或MOSFET上的电流感测电阻

我想使用赛普拉斯的POSC4产品在没有感测电阻的情况下进行放大器感测。
使用板载运算放大器来放大电压降，并使用ADC来测量电压。
这样做的目的是防止负载过流
电路
+ 12v-PnP Mosfet（RDSon .0024 ohm）-刷式直流电动机（2 ohm）-接地
Mosfet使用的是12v关断和0v接通，
我将忽略启动电流，直到电动机有时间随负载旋转，然后测量电动机或mosfet两端的电压降。
电动机运转，直到负载达到3安培，然后关闭
电动机。当撞锤接触到不可移动的物体时，电动机正在推动撞锤，电动机的安培数会上升
电动机在达到足以损坏电动机的温度之前持续15秒，额定为5.5安培
感应电路将通过一个10k电阻器，该电阻具有足够的（对地电容）吸收反电动势以清理信号
有什么理由这种方法行不通吗？

似乎很粗略。如果测量电动机两端的电压，则至少有两个问题。首先，电压将远远超出运算放大器的范围，该范围永远不应高于芯片的Vcc。您可以使用电阻分压器对其进行缩放，但是在瞬态条件下存在超过芯片最大输入的风险。它将需要诸如TVS以及可能的低通滤波器（RC型）之类的保护。

其次，从根本上说，由于电动机是高电感性的，因此阻抗不仅是电阻性的，而且是电抗性的，因此不是测量电流的可靠方法。

如果将MOSFET用作“电流检测”电阻器，则会带来其他问题。第一个问题是您在电动机的高端使用了一个P沟道MOSFET。这是一个问题，因为电压不仅将高于运算放大器输入的最大允许电压，而且MOSFET的低压侧将不会被参考为相同的电势（地）。在这种配置下，您将要测量具有大偏移量的差分电压，而如果没有其他外部电路，则不可能实现。如果更改设计，将P沟道MOSFET换为N沟道，并将FET置于低端，那么您就有一个公共接地基准来测量信号。您仍然需要使用如上所述的类似技术来保护它。

使用MOSFET的第二个问题是MOSFET的Rds-on随零件的不同以及条件的变化而变化。它不会给出非常准确的读数，因为在某些情况下其值可能会增加一倍以上。如果您不介意准确性很差，那么此方法至少是可行的。